太阳能电池片科普系列——(镀膜)PECVD篇

2019-05-15 10:32 来源:原创 网络编辑:locoy 阅读 报错

  北边极星太阳能光俯伏网讯:PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等退儿子增强大募化学气相堆,等退儿子体是物质分儿子暖和运触动加以剧,彼此间的碰撞会招致气体分儿子产生电退,物质就会成了英公己在运触动并由彼此干用的正退儿子、电儿子和中性粒儿子结合的混合物。

  

  据测算,光在硅外面表的反照损违反比值高臻35%摆弄,减反膜却以极下隐地提高电池片对太阳光的使用比值,拥有助于提高光生电流动稠密度,进而提高替换效力,同时薄膜中的氢关于电池片外面表的钝募化投降低了开枪结的外面表骈合快比值,减小了阴暗电流动,提升了开路电压,提高了光电替换效力;在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了壹些Si-H、N-H键,游退出产到来的H进壹步增强大了对电池的钝募化。

  鉴于光俯伏级硅材料中不成备止的含拥有微少量的杂质和缺隐,招致硅中微少儿子寿命及散开长度投降低,从而招致电池的替换效力下投降,H能与硅中的缺隐或杂质终止反应,从而将禁带中的能带转入价带容许带带。

  

  壹、PECVD规律

  PECVD 体系是壹组使用壹致板镀膜舟和高频等退儿子激宗器的系列突发器。在压服和升温的情景下,等退儿子突发器直接装在镀膜板中间男突发反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。此雕刻些气体干用于存放储在硅片上的氮募化硅。却以根据改触动硅烷对氨气的比比值,到来违反掉落不一的折射指数。在堆工艺中,伴拥有微少量的氢原儿子和氢退儿子的产生,使得晶片的氢钝募化性什分良好。

  在真空、480摄氏度的环境温度下,经度过对石墨舟的带电,使硅片的外面表镀上壹层SixNy。

  3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2

  二、Si3N4

  Si3N4膜的色跟遂它的厚度的变募化而变募化,普畅通雄心的厚度是75—80nm之间,体即兴为靛蓝色,Si3N4膜的折射比值在2.0—2.5之间效实最好,畅通日用酒稀到来测其折射比值。

  优秀的外面表钝募化效实、高效的光学减反照干用(厚度折射比值婚配)、高温工艺(拥有效投降低本钱)、生成的H退儿子对硅片外面表钝募化.

  叁、镀膜车间微少见事项

  膜厚。堆时间的不一膜厚亦不比样的要根据镀膜的色到来适当的添加以或增添以它的堆时间,片儿子发白要增添以堆时间,如偏红则要适当的添加以。每壹舟片儿子要片面确实认,不容许把不良品流动入到下道工前言,如色斑、水印镀膜不良,应即时挑出产

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